Khoa Khoa học Ứng dụng

Lý lịch khoa học

Đỗ Huy Bình

LÝ LỊCH KHOA HỌC

I. LÝ LỊCH SƠ LƯỢC

Họ và tên: ĐỖ HUY BÌNH Giới tính: NAM

Ngày, tháng, năm sinh: 25/02/1983 Nơi sinh: ĐỒNG NAI

Quê quán: ĐỒNG NAI Dân tộc: KINH

Học vị cao nhất: Tiến Sĩ Năm, nước nhận học vị: 2017, Đài Loan

Chức danh khoa học cao nhất: Năm bổ nhiệm:

Chức vụ (hiện tại hoặc trước khi nghỉ hưu):

Đơn vị công tác (hiện tại hoặc trước khi nghỉ hưu): khoa Khoa Học Ứng Dụng, ĐH SPKT TP. HCM

Điện thoại liên hệ: CQ: NR: DĐ:

Fax: Email: binhdh@hcmute.edu.vn

II. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO

1. Đại học

Hệ đào tạo: chính quy

Nơi đào tạo: ĐH. Sư Phạm Tp. HCM

Ngành học: Vật Lý

Nước đào tạo: Việt Nam Năm tốt nghiệp: 2005

Bằng đại học 2: Năm tốt nghiệp:

2. Sau đại học

- Thạc sĩ chuyên ngành: Vật liệu và Linh kiện Nano Năm cấp bằng: 2010

Nơi đào tạo: ĐH Công Nghệ, ĐH Quốc gia Hà Nội

- Tiến sĩ chuyên ngành: Khoa Học và Công Nghệ Vật Liệu Năm cấp bằng: 2017

Nơi đào tạo: Đài Loan

- Tên luận án: Nghiên cứu chế tạo điện cực cổng ứng dụng cho các linh kiện high-k/III-V CMOS có năng lượng tiêu thụ thấp trong tương lai (INVESTIGATION OF METAL GATE STACK FOR POST CMOS LOW POWER HIGH-K/III-V MOS DEVICES APPLICATIONS).

3. Ngoại ngữ:

1. Tiếng Anh (B2)

Mức độ sử dụng:

III. QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN

Thời gian	Nơi công tác	Công việc đảm nhiệm
2005-hiện tại	ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật Tp. HCM	Giảng viên
2018-2019	The University of Sheffield, The United Kingdom	Research Associate
2017-2018	National Chiao Tung University, Taiwan	Postdoctoral Fellow
2013-2017	National Chiao Tung University, Taiwan	Research Assistant
2012-2013	Sungkyunkwan University, South Korea	Research Assistant

IV. QUÁ TRÌNH NGHIÊN CỨU KHOA HỌC

Các đề tài nghiên cứu khoa học đã và đang tham gia

TT	Tên đề tài nghiên cứu	Năm bắt đầu/Năm hoàn thành	Đề tài cấp (NN, Bộ, ngành, trường)	Trách nhiệm tham gia trong đề tài
1	PCON and PLATGAN, Grant EPSRC	09/2018-09/2019	Đề tài nghiên cứu tại Anh	Tham gia
2	NCTU-UCB I-RiCE Program, Grant MOST 106-2911-I-009-301	05/2017-08/2018	Đề tài nghiên cứu tại Đài Loan	Tham gia
3	NRF of Korea, Basic Science Research Program (2009-0092809)	03/2011-02/2012	Đề tài nghiên cứu tại Hàn Quốc	Tham gia
4	Mô phỏng quá trình hình thành màng TiO₂ sử dụng phương pháp Molecular Dynamics (MD) và Monte Carlo (MC).	03/2010->03/2011	Cấp trường	Chủ nhiệm đề tài

2. Các công trình khoa học đã công bố

Công bố trên các tạp chí SCI và SCIE

TT	Tên công trình	Năm công bố	Tên tạp chí
1	Impact of the thickness of a u-GaN channel layer on the resistivity of a p-type contact to a 2DHG layer in GaN	Đang nộp	Nano Letters
2	Effects of oxidation state on photovoltaic properties of reactively magnetron sputtered hole-selective WOx contacts in silicon heterojunction solar cells	2020	Semiconductor Science and Technology
3	The effect of a Sb and Ga intermediate layer on the interfacial layer properties of epitaxial GaSb on GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition	2019	Thin Solid Films
4	Entirely relaxed lattice-mismatched GaSb/GaAs/Si(001) heterostructure grown via metalorganic chemical vapor deposition	2018	Applied Physics Express
5	Non-linear dependence of X-ray diffraction peak broadening in InxGa1-xSb epitaxial layers on GaAs substrates	2018	Applied Physics Express
6	In0.53Ga0.47As FinFET and GAA-FET With Remote-Plasma Treatment	2018	IEEE Electron Device Letters
7	Study of the Interface Stability of the Metal (Mo, Ni,Pd)/HfO2/AlN/InGaAs MOS Devices	2017	AIP Advances
8	Investigation of Mo/Ti/AlN/HfO2 High-k Metal Gate Stack for Low Power Consumption InGaAs NMOS Device Application	2017	IEEE Electron Device Letters
9	Growth of high-quality In0.28Ga0.72Sb/AlSb/GaSb/GaAs heterostructure by metalorganic chemical vapor deposition for single-channel Sb-based complementary metal–oxide–semiconductor applications	2017	Applied Physics Express
10	Material Growth and Band Offset Determination of Al2O3/In0.15Ga0.85Sb/GaSb/GaAs Heterostructure Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition	2017	Applied Physics Letters
11	Demonstrating antiphase domain boundary-free GaAs buffer layer on zero off-cut Si (0 0 1) substrate for interfacial misfit dislocation GaSb film by metalorganic chemical vapor deposition	2017	Materials Research Express
12	Methods for Extracting Flat Band Voltage in the InGaAs High Mobility Materials	2016	IEEE Electron Device Letters
13	Investigation of Multilayer TiNi Alloys as the Gate Metal for NMOS In0.53Ga0.47As	2016	IEEE Transactions on Electron Devices
14	Effects of In-Situ Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Treatment on the Performance of HfO2/In0.53Ga0.47As Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect 5 Transistors	2016	IEEE Electron Device Letters
15	Highly lattice-mismatched InxGa1-xSb epilayer grown on GaAs substrate by metalorganic chemical vapor deposition using the interfacial misfit dislocation growth mode	2016	Applied Physics Letters
16	Impact of AlN Interfacial Dipole on Effective Work-Function of Ni and Band Alignment of Ni/HfO2/In0.53Ga0.47As Gate Stack	2015	IEEE Transactions on Electron Devices
17	Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Passivated HfO2/AlN/In0.53Ga0.47As MOSCAPs With Sub-Nanometer Equivalent Oxide Thickness and Low Interface Trap Density	2015	IEEE Electron Device Letters
18	Electrical Characteristics of n, p-In0.53Ga0.47As MOSCAPs with In-situ PEALD-AlN Interfacial Passivation layer	2014	IEEE Transactions On Electron Devices
19	Impact of Q-Time on the Passivation of Al2O3/p-In0.53Ga0.47As Interfaces Using Various Surface Treatments	2014	ECS Solid State Letters
20	Selective Semihydrogenation of Alkynes on Shape‐Controlled Palladium Nanocrystals	2013	Chemistry – An Asian Journal

Công bố tại các hội nghị quốc tế

[1]. H. Do, X. Song, F. Gity, T. Batten, M. Myronov, S. Madathil1, M. M. De Souza, “CMOS in GaN”, Power Electronics UK, July 2019, Loughborough University, the United Kingdom

[2]. E. Y. Chang, Q. H. Luc, H. B. Do, S. H. Huynh, and Y. C. Lin, “PE-ALD Al2O3 Gate Dielectric for High Performance InGaAsFinfet Applications”, AiMES 2018, September 30 – October 4, 2018, Cancun, Mexico

[3]. Q. H. Luc, C. C. Fan-Chiang, S. H. Huynh, P. Huang, H. B. Do, M. T. H. Ha, Y. D. Jin, T. A. Nguyen, K. Y. Zhang, H. C. Wang, Y. K. Lin, Y. C. Lin, C. Hu, H. Iwai, and E. Y. Chang, “First Experimental Demonstration of Negative Capacitance InGaAs MOSFETs With Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Gate Stack”, 2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits, June 18-22, 2018, Hawaii, United State.

[4]. Edward Yi Chang, Quang-Ho Luc, Huy-Binh Do, Yueh-Chin Lin, “Performance Improvement of InGaAsFinFET Using NH3 Treatment”, 12th International Conference on ASIC (ASICON 2017), Oct. 25-28, 2017, Guiyang, China.

[5]. Q.H.Luc, K.S.Yang, J.W.Lin, C.C.Chang, C.C.F.Chiang, H.B.Do, Y.C.Lin, andE.Y.Chang, “High-Performance InGaAsFinFET Using In-Situ Plasma Gas Treatment for Logic Applications”, IUMRS International Conference in Asia (IUMRS-ICA), November 5-9, 2017, Taipei, Taiwan.

[6]. Kun Sheng Yang, Quang-Ho Luc, Chia Chi Chang, Jia Wei Lin, Chien-Chou Fan Chiang, HuyBinh Do, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh, Yu Da Jin, Tuan Anh Nguyen,Yueh-Chin Lin, Edward Yi Chang, “Improved Performance and Sufficient Reliability In0.53Ga0.47As FinFET Using NH3 Plasma Treatment”, SSDM-2017, Sep. 19-22, Sendai, Japan, 2017.

[7]. Jia Wei Lin, Quang-HoLuc , Kun Sheng Yang, Chia-Chi Chang, Chien-Chou Fan Chiang, HuyBinh Do, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh, Yu Da Jin, Tuan Anh Nguyen,Yueh-Chin Lin, Edward Yi Chang, “Low-Temperature Microwave Annealing Process for In0.53Ga0.47As MOSFETs”, SSDM-2017, Sep. 19-22, Sendai, Japan, 2017.

[8]. Quang-Ho Luc, Jia Wei Lin, Kun Sheng Yang, Chia-Chi Chang, Chien-Chou Fan Chiang, HuyBinh Do, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh, Yu Da Jin, Tuan Anh Nguyen, Yueh-Chin Lin, Edward Yi Chang, “Enhancing the Performance of Ni-In0.53Ga0.47As MOSFETs Using Post Silicon Dopant Process”,SSDM-2017, Sep. 19-22, Sendai, Japan, 2017.

[9]. HuyBinh Do, QuangHo Luc, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh, Tuan Anh Nguyen,Jia Wei Lin, Kun Sheng Yang, Chien-Chou Fan Chang, Yu-Da Jin,Yueh Chin Lin, Edward Yi Chang,“Investigation of the Interface Stability of the Metal/HfO₂/AlN/InGaAs MOS Devices”, SSDM-2017, Sep. 19-22, Sendai, Japan, 2017.

[10]. HuyBinh Do, QuangHo Luc, Edward Yi Chang, “Evaluation of Metal/HfO2 high-k Gate Stack for InGaAs MOS device Applications”, 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM-2017), August 28-31, Kirishima (Kagoshima), Japan, 2017.

[11]. Sa-Hoang Huynh, Minh-Thien-Huu Ha, Huy-Binh Do, Tuan-Anh Nguyen, Yu-Da Jin, Jia-Wei Lin, Kun-Sheng Yang, Chien-Chou-Fan Chang, Quang-Ho Luc, and Edward Yi Chang, “Materials growth and band offset parameters of the Al₂O₃/In_0.28Ga_0.72Sb/AlSb/GaSb/GaAs heterostructure”, SSDM-2017, Sep. 19-22, Sendai, Japan, 2017.

[12]. HuyBinh Do, QuangHo Luc, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh, Chia Chi Chang, Jia Wei Lin, Kun Sheng Yang, Chien-Chou Fan Chang, Yueh Chin Lin, Edward Yi Chang, “Equivalent Oxide Thickness Self-Reduction and Work Function Self-Alignment Using Ti/AlN Doping Layer for Mo/HfO₂/InGaAsNMOS”, SSDM-2016, Sep. 26-29, Tsukuba, Japan, 2016.

[13]. HuyBinh Do, QuangHo Luc, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh, Chia Chi Chang, Jia Wei Lin, Kun Sheng Yang, Chien-Chou Fan Chang, Yueh Chin Lin, Edward Yi Chang, “Multilayer TiNi Alloys as Gate Metal for InGaAs MOS devices”, SSDM-2016, Sep. 26-29, Tsukuba, Japan, 2016.

[14]. QuangHo Luc, Chia-Chi Chang, Po-Chun Chang, HuyBinh Do, Jia-Wei Lin, Kun-Sheng Yang, Chien-Chou-Fan Chang, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh1, Yueh Chin Lin, Edward Yi Chang, “Effective Interface Passivation by In-Situ Remote-Plasma Gas Treatments for In0.53Ga0.47As MOSFET and FinFET Applications”, SSDM-2016, Sep. 26-29, Tsukuba, Japan, 2016.

[15]. Sa Hoang Huynh, Minh ThienHuu Ha, Quang-Ho Luc, HuyBinh Do, Chih Jen Hsiao, Chia-Chi Chang, Jia Wei Lin, Hung-Wei Yu, Edward Yi Chang, “The growth of InxGa1-xSbepilayer on GaAs substrate by metalorganic chemical vapor deposition using an interfacial misfit dislocation GaSb buffer layer”, SSDM-2016, Sep. 26-29, Tsukuba, Japan, 2016.

[16]. Sa Hoang Huynh, Quang-Ho Luc, Minh ThienHuu Ha, HuyBinh Do, Hung-Wei Yu, Edward Yi Chang, “The properties of the In_xGa_1-xSbepilayer grown on GaAs substrate by metalorganic chemical vapor deposition using the interfacial misfit dislocation technique”, SSDM-2016, Sep. 26-29, Tsukuba, Japan, 2016.

[17]. Quang-Ho Luc, Po-Chun Chang, Huy-Binh Do, Yueh-Chin Lin, Edward Yi Chang, “Study on the electrical characteristics of in situ PEALD-passivated HfO2/In0.53Ga0.47As MOSCAP and MOSFET structures”, China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), 2016, DOI: 10.1109/CSTIC.2016.7464089.

[18]. HuyBinh Do, QuangHo Luc, Minh ThienHuu Ha, Sa Hoang Huynh, Shou-Po Cheng, Yueh Chin Lin, Edward Yi Chang, “The Effects of AlN Passivation Layer on Metal Work-Function and Band Alignment of Metal Oxide Semiconductor Devices”, SSDM-2015, Sep. 27-30, Sapporo, Japan, 2015 (oral presentation).

[19]. Quang-Ho Luc, Huy-Binh Do, Shou-Po Cheng, Jin-Han Chen, Sa-Hoang Huynh, Po-Chun Chang, Yueh-Chin Lin1, and Edward Yi Chang, “Impact of in situ plasma enhanced atomic layer deposition on the electrical properties of HfO₂/In_0.53Ga_0.47As MOSCAPs for low EOT and low interface state density”, SSDM-2015, Sep. 27-30, Sapporo, Japan, 2015.

[20]. Quang-Ho Luc, Shou-Po Cheng, Jin-Han Chen, Guan-Yu Lin, Huy-Binh Do, Po-Chun Chang, Guo-Wei Huang, Kun-Ming Chen, Yueh-Chin Lin, and Edward Yi Chang, “Improving performance of In_0.53Ga_0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors using in situ post remote-plasma treatment with N₂/H₂ gases”, SSDM-2015, Sep. 27-30, Sapporo, Japan, 2015.

[21]. QuangHo Luc, Edward Yi Chang, Hai Dang Trinh, BinhTinh Tran, Hong Quan Nguyen, Yueh Chin Lin, Yuen Yee Wong, HuyBinh Do, Sa Hoang Huynh and Chi Lang Nguyen, “The electrical characteristics of Al₂O₃/AlN/n, p-In_0.53Ga_0.47As metal oxide semiconductor capacitors with plasma enhanced atomic layer deposition aluminum nitride”, APSPT-8, Dec. 20-22, Hsinchu, Taiwan, 2013.

[22]. BinhTinh Tran, Chen Chen Chung, Kartika Chandra Sahoo, Chi Lang Nguyen, QuangHo Luc, HuyBinh Do and Edward Yi Chang, "Effect of Different AlN/Si (111) Templates on the Performance of InAlN/GaN-Based Ultraviolet Photodiode", IEDMS-2013, Nov. 28-29, Nantou, Taiwan, 2013.

[23]. QuangHo Luc, Edward Yi Chang, Hai Dang Trinh, Hong Quan Nguyen, BinhTinh Tran, Yueh Chin Lin and HuyBinh Do, “On the electrical characteristics of the atomic layer deposition Al₂O₃/In_0.53Ga_0.47As MOSCAPs with various annealing processes”, SSDM-2013, Sep. 24-27, Fukuoka, Japan, 2013.