Tác giả :

I. LÝ LỊCH SƠ LƯỢC

Họ và tên: HUỲNH HOÀNG TRUNG         Giới tính: Nam

Ngày tháng năm sinh: 19/11/1980                                  Nơi sinh: Cần Đước, Long An

Quê quán: Long Trạch, Cần Đước, Long An       Dân tộc: Kinh  

Học vị cao nhất: Thạc sỹ                                                 Năm phong học vị: 2008  

Chức vụ: Cán bộ giảng dạy                                                      

Đơn vị công tác: Khoa Khoa học cơ bản                              

E-mail:trunghh@hcmute.edu.vn                                                                                            

II. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO

1. Đại học:

- Hệ đào tạo: chính quy

- Nơi đào tạo: Trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia Tp. HCM

- Ngành học chuyên môn: Vật lý điện tử

- Năm tốt nghiệp: 2003

2. Sau đại học:

- Bằng thạc sỹ chuyên ngành: Vật lý vô tuyến - điện tử   

- Năm cấp bằng: 2008

- Nơi đào tạo: Trường ĐH Khoa học Tự nhiên, ĐH Quốc gia Tp. HCM

3. Ngoại ngữ:

- Trình độ ngoại ngữ: Tiếng Anh trình độ tương đương C

III. QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN

1. Hoạt động giảng dạy

- Giảng dạy: Thí nghiệm Vật lý, Vật lý đại cương

- Hướng dẫn khóa luận tốt nghiệp đại học: Linh kiện điện tử nano, LED, UVLED, …

2. Quá trình nghiên cứu khoa học

  • Các đề tài nghiên cứu khoa học đã tham gia:
  • Các công trình khoa học đã công bố: (tên công trình, năm công bố, nơi công bố…)
  1. Tính toán định hướng chế tạo Led cho bức xạ 330nm ; 2013; Cấp trường; Chủ nhiệm
  2. Mô hình và mô phỏng Transistor một điện tử với chấm lượng tử nhiều mức2011; Cấp trường trọng điểm ; Chủ nhiệm
  3. Mô phỏng đặc tuyến Volt-Ampere của Transistor một điện tử2010; Cấp trường; Chủ nhiệm
  4. Mô phỏng đặc tuyến Volt-Ampere của Transistor trường phân tử sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng2010; Cấp trường; Chủ nhiệm
  5. Mô phỏng transistor đơn điện tử (SET) sử dụng phương pháp hàm Green2009; Cấp trường; Thành viên
  6. Mô phỏng linh kiện điện tử nano: Transistor phân tử vòng benzene C6H4S2; 2008; Cấp trường; Chủ nhiệm
  1. Wavelength dependent of doping concentration and components Aluminum material inAlyGa1-yN layer for MQW of 312nm LED.; 2013; Proc. of  The IWDMDT 2013
  2. The study of barrier-height and well-width dependence of wavelength from AlGaN-based QW structures for UVLED.; 2012; Proc. of The 2sd Solid-State SystemsSymposium VLSIs (4S – 2012)
  3. Simulation of Single Electron Transistor in Multi Level Mode using Non-equilibrium Green Function Method.2012; Journal of Technical Education Science 21 (2012) 7
  4. The Study of Doping Concentration in AlyGa1-yN Block Layer Based on Multi Quantum Well of 313nm LED.; 2011; Journal of Emerging Trends in Engineering and Applied Sciences (JETEAS), UK Vol 2, No.6 (2011)
  5. Wavelength Dependent of Doping Concentration in AlyGa1-yN block Layer for MQW UVLED.; 2011; Proc. of the 3rd IWNA
  6. The Study of Number and Thickness of Multi Quantum Well Based on AlGaN.; 2011;Proc. of the 3rd IWNA
  7. Tính toán cho cấu trúc UVLED với bước sóng phát xạ 330nm. ; 2011; Kỷ yếu hội thảo khoa học Công nghệ xanh và phát triển bền vững, Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp.HCM
  8. Modelling Molecular Field Effect Transistor Using Non-Equilibrium Green Function Method.2009; Journal of Physics: Conference Series 187 (2009) 012087 by IOP Publishing, United Kingdom.
  9. Development of Quantum Device Simulator, NEMO-VN1.2009; Journal of Physics: Conference Series 187 (2009) 012088 by IOP Publishing, United Kingdom.
  10. Simulating Current - Voltage Characteristics of Molecular Field Effect Transistor.;2009; Journal Science and Technology Development, Engineering and Technology, The Twelfth year. Vol.12 No 13/2009, Vietnam National University - Hochiminh City, Vietnam, ISSN 1859-0128.
  11. Simulating performance of single electron transistor using non-equilibrium Green function method.2009; Proc. of The 6th Vietnam National Conference on SPMS-2009
  12. Simulation of Current-Voltage Characteristic of Molecular Field Effect Transistor; 2008; Proc. of The 6th Scientific Conference of The University of Science, VNU-HCMC
  13. Development of Quantum Device Simulator, NEMO-VN1; 2008; Proc. of APCTP-ASEAN Workshop on AMSN 2008
  14. Modelling Molecular Field Effect Transistor Using Non-Equilibrium Green Function Method; 2008; Proc. of APCTP-ASEAN Workshop on AMSN 2008
  15. A Quantum Device Simulator NEMO-VN; 2008; Proc. of APCTP-ASEAN Workshop on AMSN 2008

 

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *

Hỏi - đáp thường gặp

Copyright © 2016, Khoa Khoa học Ứng dụng, Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM

Địa chỉ: 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh.

Điện thoại: (+84 - 8) 38960641

E-mail: kkhud@hcmute.edu.vn


Truy cập tháng:24,634

Tổng truy cập:446,198