Tác giả :
I. LÝ LỊCH SƠ LƯỢC

Họ và tên:  Huỳnh Sa Hoàng                   Giới tính: Nam

Ngày tháng năm sinh:     14/12/1983      Nơi sinh: Phan Rang – Ninh Thuận

Quê quán:    Ninh Thuận          Dân tộc: Kinh

Học vị cao nhất:   Thạc Sỹ                   Năm phong học vị: 2010

Đơn vị công tác (hiện tại): Bộ môn Vật Lý - Khoa Khoa học cơ bản

                                           – ĐH Sư phạm Kỹ thuật TPHCM

E-mail:     hoangsa1429@yahoo.com                                                           

II. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO
1. Đại học:

Hệ đào tạo: Chính quy

Nơi đào tạo: Đại học Khoa học Tự nhiên TPHCM

Ngành học chuyên môn: Vật Lý Ứng Dụng

Nước đào tạo:    Việt Nam        Năm tốt nghiệp: 2006

2. Sau đại học:

- Bằng thạc sỹ chuyên ngành: Vật Liệu & Linh kiện Nano

  Năm cấp bằng: 2010.

  Nơi đào tạo: Đại học Công Nghệ - Đại học Quốc gia Hà Nội.

3. Ngoại ngữ: Tiếng Anh  

III. QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN
     1. HOẠT ĐỘNG GIẢNG DẠY

Từ tháng 5 – 2009 đến nay : Giảng viên Vật Lý – Bộ môn Vật Lý – Khoa Khoa học cơ bản – Đại học Sư phạm Kỹ thuật TPHCM.

2. QUÁ TRÌNH NGHIÊN CỨU KHOA HỌC

Các đề tài nghiên cứu khoa học đã tham gia:

 Tái hoạt tính carbon ứng dụng làm nền điện cực hỗ trợ xúc tác trong pin nhiên liệu dùng methanol trực tiếp (DMFC).; 2010; Trường; Chủ nhiệm đề tài

  • CÁC BÀI BÁO TRÌNH BÀY VÀ ĐĂNG TRONG CÁC KỶ YẾU HỘI THẢO
  1. T. K. Hiếu, L. H. Vũ, V. H. Hải, H. S. HoàngThiết lập hệ đo Quang bán dẫn trên cơ sở phần mềm Labview có tích hợp mô đun xử lý tín hiệu, Hội nghị Vật Lý toàn quốc lần VI, 11/2005, Hà Nội, Việt Nam.
  2. H. S. Hoang et al., Photoluminescence and Photoreflectance Investigation of Heterojunction Structure Ga1-xAlxAs(n+)/GaAs(p-) /GaAs(p+)Proceeding of International Workshop on Photonics and Applications, 15-19th August 2006, Can Tho, Vietnam.
  3. H. N. T. Nguyen, H. K. Truong, L. H. Vu, H. S. Hoang, Simulation and Lock-in Phase Analysis in Photoreflectance Modulation Spectroscopy of GaAs and Photoreflectance Investigation of The Heterojunction Structure AlxGa1-xAs(N+)/ GaAs(P-)/GaAs(P+), Springer Proceeding in Physics, Physics and Engineering of New Materials, Volume 127, Pages 345-354, 2009, Germany.
  4. H. S. Hoang et al.Metal-Insulator transition in low dimensional La0.75Sr0.25VO3thin films, Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference,October 2011, Busan, Korea.

 

Góp ý
Họ và tên: *  
Email: *  
Tiêu đề: *  
Mã xác nhận:
 
 
   
  
 
 
   
 *

Hỏi - đáp thường gặp

Copyright © 2016, Khoa Khoa học Ứng dụng, Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật - TP.HCM

Địa chỉ: 1 Võ Văn Ngân, Quận Thủ Đức, Thành Phố Hồ Chí Minh.

Điện thoại: (+84 - 8) 38960641

E-mail: kkhud@hcmute.edu.vn


Truy cập tháng:24,632

Tổng truy cập:446,196